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Inve META PreisvergleichMit dem Meta-Preisvergleich suchen Sie gleichzeitig bei den großen Preisvergleich Portalen!Jetzt live Suche nach inve starten! Inve Angebote aus dem beliebtesten PreisbereichAngebote vom 3.2.2024 um 7:46*. Wenn die Angebote älter als 12 Stunden sind, sollten Sie die Suche aktualisieren: inve preisvergleichDurch Käufe über Links zu Händlern kann diese Website eine Provision erhalten, u.a. durch das eBay Partner Network   MICROCHIP MCP 14E8-E/SN - 2,0 A Dual-MOSFET-Treiber, 1 x inver. / 1 x nicht inver., SO-8
Kategorie: Sonstige Elektroinstallationsartikel - MICROCHIP - 2,0A Dual-High-Speed-Leistungs-MOSFET-Treiber mit Enable Beschreibung Die MCP14E6/7/8-Bausteine sind Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Treiber, die einen Spitzenstrom von 2,0A liefern können. Die dualen invertierenden, dualen nicht-invertierenden und komplementären Ausgänge werden direkt von TTL oder CMOS (3V bis 18V) gesteuert. Diese Bausteine zeichnen sich außerdem durch einen niedrigen Shoot-Through-Strom, schnelle Anstiegs-/Abfallzeiten und Laufzeitverzögerungen aus, was sie ideal für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz macht. Die MCP14E6/7/8-Bausteine arbeiten mit einer Versorgungsspannung von 4,5V bis 18V und können problemlos 1000 pF an MOSFET-Gate-Kapazität laden und entladen. Sie bieten sowohl im EIN- als auch im AUS-Zustand ausreichend niedrige Impedanzen, um sicherzustellen, dass der vorgesehene Zustand der MOSFETs auch durch große Transienten nicht beeinträchtigt wird. Die zusätzliche Steuerung der Ausgänge des MCP14E6/7/8 wird durch die Verwendung von separaten Enable-Funktionen ermöglicht. Die Pins ENB_A und ENB_B sind active-high und werden intern auf VDD gezogen. Für den Standardbetrieb können die Pins potentialfrei belassen werden. Die MCP14E6/7/8-Treiberfamilie mit zwei Ausgängen und 2,0 A wird sowohl in oberflächenmontierten als auch in durchkontaktierten Gehäusen mit einem Temperaturbereich von -40oC bis +125oC angeboten. Der niedrige Wärmewiderstand des thermisch verbesserten DFN-Gehäuses  MICROCHIP MCP 14E11-E/SN - 3,0 A Dual-MOSFET-Treiber, 1 x inver. / 1 x nicht inver., SO-8
Kategorie: Sonstige Elektroinstallationsartikel - MICROCHIP - 3,0A Dual-Hochgeschwindigkeitsleistungs-MOSFET-Treiber mit Enable Produktbeschreibung: Die Bausteine MCP14E9/10/11 sind Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Treiber, die einen Spitzenstrom von 3,0A liefern können. Die dualen invertierenden, dualen nicht-invertierenden und komplementären Ausgänge werden direkt entweder von TTL oder CMOS (3V bis 18V) gesteuert. Diese Bausteine zeichnen sich außerdem durch einen niedrigen Durchschaltstrom, nahezu angepasste Anstiegs-/Abfallzeiten und Ausbreitungsverzögerungen aus, wodurch sie sich ideal für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz eignen. Die Bausteine MCP14E9/10/11 arbeiten mit einer Einzelstromversorgung von 4,5V bis 18V und können problemlos 1800 pF MOSFET-Gate-Kapazität laden und entladen. Sie bieten sowohl im EIN- als auch im AUS-Zustand ausreichend niedrige Impedanzen, um sicherzustellen, dass der beabsichtigte Zustand der MOSFETs auch durch große Transienten nicht beeinträchtigt wird. Die zusätzliche Steuerung der MCP14E9/10/11-Ausgänge wird durch die Verwendung separater Freigabefunktionen ermöglicht. Die Pins ENB_A und ENB_B sind Active-High und werden intern auf VDD hochgezogen. Für den Standardbetrieb können die Pins potentialfrei bleiben. Die Treiberfamilie MCP14E9/10/11 mit zwei 3,0A-Ausgängen wird sowohl in oberflächenmontierbaren Gehäusen als auch in Durchsteckgehäusen mit einem Temperaturbereich von -40oC bis +125oC angeboten. Der niedrige thermische Widerstand   10 x LEGO® Winkel 1 x 2 - 2 x 2 Invers Schwarz
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Kategorie: Sonstige Elektroinstallationsartikel - MICROCHIP - 3,0A Dual-Hochgeschwindigkeitsleistungs-MOSFET-Treiber mit Enable Produktbeschreibung: Die Bausteine MCP14E9/10/11 sind Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Treiber, die einen Spitzenstrom von 3,0A liefern können. Die dualen invertierenden, dualen nicht-invertierenden und komplementären Ausgänge werden direkt entweder von TTL oder CMOS (3V bis 18V) gesteuert. Diese Bausteine zeichnen sich außerdem durch einen niedrigen Durchschaltstrom, nahezu angepasste Anstiegs-/Abfallzeiten und Ausbreitungsverzögerungen aus, wodurch sie sich ideal für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz eignen. Die Bausteine MCP14E9/10/11 arbeiten mit einer Einzelstromversorgung von 4,5V bis 18V und können problemlos 1800 pF MOSFET-Gate-Kapazität laden und entladen. Sie bieten sowohl im EIN- als auch im AUS-Zustand ausreichend niedrige Impedanzen, um sicherzustellen, dass der beabsichtigte Zustand der MOSFETs auch durch große Transienten nicht beeinträchtigt wird. Die zusätzliche Steuerung der MCP14E9/10/11-Ausgänge wird durch die Verwendung separater Freigabefunktionen ermöglicht. Die Pins ENB_A und ENB_B sind Active-High und werden intern auf VDD hochgezogen. Für den Standardbetrieb können die Pins potentialfrei bleiben. Die Treiberfamilie MCP14E9/10/11 mit zwei 3,0A-Ausgängen wird sowohl in oberflächenmontierbaren Gehäusen als auch in Durchsteckgehäusen mit einem Temperaturbereich von -40oC bis +125oC angeboten. Der niedrige thermische Widerstand  MICROCHIP MCP 14E8-E/P - 2,0 A Dual-MOSFET-Treiber, 1 x inver. / 1 x nicht inver., DIP-8
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