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Festplatten Lifestyle Technik Computer PC-Hardware - EAN: 08806090545931 - Allgemein Hersteller Samsung Herst. Art. Nr. MZ-77E250B/EU EAN 8806090545931 Hauptmerkmale Produktbeschreibung Samsung 870 EVO MZ-77E250B - Solid-State-Disk - 250 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller Kapazität 250 GB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor 2. 5' (6. 4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Puffergrösse 512 MB Merkmale TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S. M. A. R. T. , 256-Bit-AES, IEEE 1667 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69. 85 mm x 100 mm x 6. 8 mm Gewicht 45 g Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 250 GB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor 2. 5' (6. 4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Puffergröße 512 MB Merkmale TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S. M. A. R. T. , 256-Bit-AES, IEEE 1667 Breite 69. 85 mm Tiefe 100 mm Höhe 6. 8 mm Gewicht 45 g Leistung SSD-Leistung 2400 TB übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern) Interner Datendurchsatz 560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 13000 IOPS 4 KB Random Write 36000 IOPS Maximal 4 KB Random Write 88000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 98000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1, 500, 000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SATA 6 Gb/s Kompatibles Schaltfeld 2. 5' (6. 4 cm) Stromversorgung Energieverbrauch 2. 2 Watt (Durchschnitt) ¦ 3. 5 Watt (Maximum) Software Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Kennzeichnung WWN, IEEE 1667 Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Schocktoleranz (in Betrieb) 1500 g @ 0, 5 ms Sinushalbwellen - Lieferzeit: 1 Tag - Sofort verfügbar: true - Speicherkapazität: 250-499 GB - - - bei Office Partner - gefunden von shopping24



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Festplatten Lifestyle Technik Computer PC-Hardware - EAN: 08806090545924 - Allgemein Hersteller Samsung Herst. Art. Nr. MZ-77E500B/EU EAN 8806090545924 Hauptmerkmale Produktbeschreibung Samsung 870 EVO MZ-77E500B - Solid-State-Disk - 500 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller Kapazität 500 GB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor 2. 5' (6. 4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Puffergrösse 512 MB Merkmale TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S. M. A. R. T. , 256-Bit-AES, IEEE 1667 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69. 85 mm x 100 mm x 6. 8 mm Gewicht 45 g Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 500 GB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor 2. 5' (6. 4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Puffergröße 512 MB Merkmale TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S. M. A. R. T. , 256-Bit-AES, IEEE 1667 Breite 69. 85 mm Tiefe 100 mm Höhe 6. 8 mm Gewicht 45 g Leistung SSD-Leistung 2400 TB übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern) Interner Datendurchsatz 560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 13000 IOPS 4 KB Random Write 36000 IOPS Maximal 4 KB Random Write 88000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 98000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1, 500, 000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SATA 6 Gb/s Kompatibles Schaltfeld 2. 5' (6. 4 cm) Stromversorgung Energieverbrauch 2. 2 Watt (Durchschnitt) ¦ 3. 5 Watt (Maximum) Software Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Kennzeichnung WWN, IEEE 1667 Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Schocktoleranz (in Betrieb) 1500 g @ 0, 5 ms Sinushalbwellen - Lieferzeit: 1 Tag - Sofort verfügbar: true - Speicherkapazität: 500-999 GB - - - bei Office Partner - gefunden von shopping24



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Zustand: Neu - 146,60 € / kg - Pfefferspray & KO-Spray - KH-Security kh-security - 150119 + 210104 - EAN: 4036694365343 - 500.000 Volt Handschlaufe mit Sicherungsstift Gürtelclip PTB-Prüfzeichen Gewicht: ca. 240 g - 7 Händler im amazon.de Marketplace



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Festplatten Lifestyle Technik Computer PC-Hardware - EAN: 08806090396038 - Allgemein Hersteller Samsung Herst. Art. Nr. MZ-77Q1T0BW EAN 8806090396038 Hauptmerkmale Produktbeschreibung Samsung 870 QVO MZ-77Q1T0BW - Solid-State-Disk - 1 TB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, Samsung V-NAND 4bit MLC Technology Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp Quad-Level Cell (QLC) Formfaktor 2. 5' (6. 4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Puffergrösse 1 GB Merkmale TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, Samsung V-NAND 4bit MLC Technology, S. M. A. R. T. , 256-Bit-AES, IEEE 1667 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69. 85 mm x 100 mm x 6. 8 mm Gewicht 46 g Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp Quad-Level Cell (QLC) Formfaktor 2. 5' (6. 4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Puffergröße 1 GB Merkmale TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, Samsung V-NAND 4bit MLC Technology, S. M. A. R. T. , 256-Bit-AES, IEEE 1667 Breite 69. 85 mm Tiefe 100 mm Höhe 6. 8 mm Gewicht 46 g Leistung SSD-Leistung 360 TB Interner Datendurchsatz 560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 11000 IOPS 4 KB Random Write 35000 IOPS Maximal 4 KB Random Write 88000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 98000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1, 500, 000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SATA 6 Gb/s Kompatibles Schaltfeld 2. 5' (6. 4 cm) Stromversorgung Energieverbrauch 2. 2 Watt (Durchschnitt) ¦ 4 Watt (Maximum) ¦ 0. 03 Watt (Leerlauf) ¦ 0. 003 Watt (Sleep-Modus) Software Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Min. Lagertemperatur -45 °C Max. Lagertemperatur 85 °C Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb 5 - 95 % (nicht kondensierend) Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g @ 0, 5 ms Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) 20 g @ 20-2000 Hz - Lieferzeit: 1 Tag - Sofort verfügbar: true - Speicherkapazität: 1-1,9 TB - - - bei Office Partner - gefunden von shopping24



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Notebooks Zubehör Lifestyle Technik Computer - EAN: 00649528823472 - Allgemein Hersteller Micron Technology Herst. Art. Nr. CT1000P2SSD8 EAN 0649528823472 Hauptmerkmale Produktbeschreibung Crucial P2 - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3. 0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, Error Correction Code (ECC), Adaptive Thermal Protection, Redundant Array of Independent NAND, Multistep Data Integrity Algorithm, Active Garbage Collection, dynamische Schreibbeschleunigung, Datenschutz bei Stromausfall, NVM Express (NVMe), Autonomous Power State Transition (APST) Kapazität 1 TB Formfaktor M. 2 2280 Schnittstelle PCI Express 3. 0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, Error Correction Code (ECC), Adaptive Thermal Protection, Redundant Array of Independent NAND, Multistep Data Integrity Algorithm, Active Garbage Collection, dynamische Schreibbeschleunigung, Datenschutz bei Stromausfall, NVM Express (NVMe), Autonomous Power State Transition (APST), S. M. A. R. T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Formfaktor M. 2 2280 Schnittstelle PCI Express 3. 0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, Error Correction Code (ECC), Adaptive Thermal Protection, Redundant Array of Independent NAND, Multistep Data Integrity Algorithm, Active Garbage Collection, dynamische Schreibbeschleunigung, Datenschutz bei Stromausfall, NVM Express (NVMe), Autonomous Power State Transition (APST), S. M. A. R. T. Breite 22 mm Tiefe 80 mm Leistung SSD-Leistung 450 TB Interner Datendurchsatz 2400 MBps (lesen)/ 1800 MBps (Schreiben) Zuverlässigkeit MTBF 1, 500, 000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express 3. 0 x4 (NVMe) - M. 2 Card Kompatibles Schaltfeld M. 2 2280 Software Systemanforderungen Software inbegriffen Acronis True Image, Crucial Storage Executive Verschiedenes Kennzeichnung UL, TUV, VCCI, BSMI, FCC, WEEE, ICES, KC, China RoHS, RCM, Morocco, Ukraine Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C - Sofort verfügbar: true - - - bei Office Partner - gefunden von shopping24



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Notebooks Zubehör Lifestyle Technik Computer - EAN: 08806090295539 - Allgemein Hersteller Samsung Herst. Art. Nr. MZ-V8P500BW EAN 8806090295539 Hauptmerkmale Produktbeschreibung Samsung 980 PRO MZ-V8P500BW - Solid-State-Disk - 500 GB - PCI Express 4. 0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 500 GB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES Formfaktor M. 2 2280 Schnittstelle PCI Express 4. 0 x4 (NVMe) Puffergrösse 512 MB Merkmale TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, NVM Express (NVMe) 1. 3c, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Samsung Elpis Controller, S. M. A. R. T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22. 15 mm x 80. 15 mm x 2. 38 mm Gewicht 9 g Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 500 GB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES Formfaktor M. 2 2280 Schnittstelle PCI Express 4. 0 x4 (NVMe) Puffergröße 512 MB Merkmale TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, NVM Express (NVMe) 1. 3c, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Samsung Elpis Controller, S. M. A. R. T. Breite 22. 15 mm Tiefe 80. 15 mm Höhe 2. 38 mm Gewicht 9 g Leistung SSD-Leistung 300 TB Interner Datendurchsatz 6900 MBps (lesen)/ 5000 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 22000 IOPS 4 KB Random Write 60000 IOPS Maximal 4 KB Random Write 1000000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 800000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1, 500, 000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen PCI Express 4. 0 x4 (NVMe) - M. 2 Card Kompatibles Schaltfeld M. 2 2280 Stromversorgung Energieverbrauch 5. 9 Watt (Durchschnitt) ¦ 7. 4 Watt (Maximum) ¦ 0. 035 Watt (Leerlauf) Software Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Kennzeichnung IEEE 1667 Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Schocktoleranz (in Betrieb) 1500 g @ 0, 5 ms - Sofort verfügbar: true - - - bei Office Partner - gefunden von shopping24



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Festplatten Lifestyle Technik Computer PC-Hardware - EAN: 08806090545917 - Allgemein Hersteller Samsung Herst. Art. Nr. MZ-77E1T0B/EU EAN 8806090545917 Hauptmerkmale Produktbeschreibung Samsung 870 EVO MZ-77E1T0B - Solid-State-Disk - 1 TB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor 2. 5' (6. 4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Puffergrösse 1 GB Merkmale TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S. M. A. R. T. , 256-Bit-AES, IEEE 1667 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69. 85 mm x 100 mm x 6. 8 mm Gewicht 45 g Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor 2. 5' (6. 4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Puffergröße 1 GB Merkmale TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S. M. A. R. T. , 256-Bit-AES, IEEE 1667 Breite 69. 85 mm Tiefe 100 mm Höhe 6. 8 mm Gewicht 45 g Leistung SSD-Leistung 2400 TB übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern) Interner Datendurchsatz 560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 13000 IOPS 4 KB Random Write 36000 IOPS Maximal 4 KB Random Write 88000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 98000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1, 500, 000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SATA 6 Gb/s Kompatibles Schaltfeld 2. 5' (6. 4 cm) Stromversorgung Energieverbrauch 2. 5 Watt (Durchschnitt) ¦ 4. 4 Watt (Maximum) Software Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Kennzeichnung WWN, IEEE 1667 Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Schocktoleranz (in Betrieb) 1500 g @ 0, 5 ms Sinushalbwellen - Lieferzeit: 1 Tag - Sofort verfügbar: true - Speicherkapazität: 1-1,9 TB - - - bei Office Partner - gefunden von shopping24



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Notebooks Zubehör Lifestyle Technik Computer - EAN: 08806090295546 - Allgemein Hersteller Samsung Herst. Art. Nr. MZ-V8P1T0BW EAN 8806090295546 Hauptmerkmale Produktbeschreibung Samsung 980 PRO MZ-V8P1T0BW - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 4. 0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, NVM Express (NVMe) 1. 3c, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Samsung Elpis Controller Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES Formfaktor M. 2 2280 Schnittstelle PCI Express 4. 0 x4 (NVMe) Puffergrösse 1 GB Merkmale TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, NVM Express (NVMe) 1. 3c, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Samsung Elpis Controller, S. M. A. R. T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22. 15 mm x 80. 15 mm x 2. 38 mm Gewicht 9 g Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES Formfaktor M. 2 2280 Schnittstelle PCI Express 4. 0 x4 (NVMe) Puffergröße 1 GB Merkmale TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, NVM Express (NVMe) 1. 3c, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Samsung Elpis Controller, S. M. A. R. T. Breite 22. 15 mm Tiefe 80. 15 mm Höhe 2. 38 mm Gewicht 9 g Leistung SSD-Leistung 600 TB Interner Datendurchsatz 7000 MBps (lesen)/ 5000 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 22000 IOPS 4 KB Random Write 60000 IOPS Maximal 4 KB Random Write 1000000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 1000000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1, 500, 000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen PCI Express 4. 0 x4 (NVMe) - M. 2 Card Kompatibles Schaltfeld M. 2 2280 Stromversorgung Energieverbrauch 6. 2 Watt (Durchschnitt) ¦ 8. 9 Watt (Maximum) ¦ 0. 035 Watt (Leerlauf) Software Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Kennzeichnung IEEE 1667 Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Schocktoleranz (in Betrieb) 1500 g @ 0, 5 ms - Sofort verfügbar: true - - - bei Office Partner - gefunden von shopping24



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Festplatten Lifestyle Technik Computer PC-Hardware - EAN: 08806090396007 - Allgemein Hersteller Samsung Herst. Art. Nr. MZ-77Q2T0BW EAN 8806090396007 Hauptmerkmale Produktbeschreibung Samsung 870 QVO MZ-77Q2T0BW - Solid-State-Disk - 2 TB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Schlafmodus, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller Kapazität 2 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp Quad-Level Cell (QLC) Formfaktor 2. 5' (6. 4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Puffergrösse 2 GB Merkmale TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Schlafmodus, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S. M. A. R. T. , 256-Bit-AES, IEEE 1667 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69. 85 mm x 100 mm x 6. 8 mm Gewicht 46 g Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 2 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp Quad-Level Cell (QLC) Formfaktor 2. 5' (6. 4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Puffergröße 2 GB Merkmale TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Schlafmodus, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S. M. A. R. T. , 256-Bit-AES, IEEE 1667 Breite 69. 85 mm Tiefe 100 mm Höhe 6. 8 mm Gewicht 46 g Leistung SSD-Leistung 720 TB Interner Datendurchsatz 560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 11000 IOPS 4 KB Random Write 35000 IOPS Maximal 4 KB Random Write 88000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 98000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1, 500, 000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SATA 6 Gb/s - 7-poliges Serial ATA Kompatibles Schaltfeld 2. 5' (6. 4 cm) Stromversorgung Energieverbrauch 3. 3 Watt (Durchschnitt) ¦ 5. 5 Watt (Maximum) ¦ 0. 045 Watt (Leerlauf) Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Schocktoleranz (in Betrieb) 0, 5 ms Sinushalbwellen Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g @ 0, 5 ms - Sofort verfügbar: true - Speicherkapazität: 2-2,9 TB - - - bei Office Partner - gefunden von shopping24



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Festplatten Lifestyle Technik Computer PC-Hardware - EAN: 08806090545900 - Allgemein Hersteller Samsung Herst. Art. Nr. MZ-77E2T0B/EU EAN 8806090545900 Hauptmerkmale Produktbeschreibung Samsung 870 EVO MZ-77E2T0B - Solid-State-Disk - 2 TB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller Kapazität 2 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor 2. 5' (6. 4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Puffergrösse 2 GB Merkmale TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S. M. A. R. T. , 256-Bit-AES, IEEE 1667 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69. 85 mm x 100 mm x 6. 8 mm Gewicht 45 g Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 2 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor 2. 5' (6. 4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Puffergröße 2 GB Merkmale TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S. M. A. R. T. , 256-Bit-AES, IEEE 1667 Breite 69. 85 mm Tiefe 100 mm Höhe 6. 8 mm Gewicht 45 g Leistung SSD-Leistung 2400 TB übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern) Interner Datendurchsatz 560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 13000 IOPS 4 KB Random Write 36000 IOPS Maximal 4 KB Random Write 88000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 98000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1, 500, 000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SATA 6 Gb/s Kompatibles Schaltfeld 2. 5' (6. 4 cm) Stromversorgung Energieverbrauch 5 Watt (Durchschnitt) ¦ 4. 5 Watt (Maximum) Software Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Kennzeichnung WWN, IEEE 1667 Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Schocktoleranz (in Betrieb) 1500 g @ 0, 5 ms Sinushalbwellen - Lieferzeit: 1 Tag - Sofort verfügbar: true - Speicherkapazität: 2-2,9 TB - - - bei Office Partner - gefunden von shopping24



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Notebooks Zubehör Lifestyle Technik Computer - EAN: 08806090696534 - Allgemein Hersteller Samsung Herst. Art. Nr. MZ-V8P2T0BW EAN 8806090696534 Hauptmerkmale Produktbeschreibung Samsung 980 PRO MZ-V8P2T0BW - Solid-State-Disk - 2 TB - PCI Express 4. 0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, NVM Express (NVMe) 1. 3c, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Samsung Elpis Controller Kapazität 2 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES Formfaktor M. 2 2280 Schnittstelle PCI Express 4. 0 x4 (NVMe) Puffergrösse 2 GB Merkmale TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, NVM Express (NVMe) 1. 3c, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Samsung Elpis Controller, S. M. A. R. T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22. 15 mm x 80. 15 mm x 2. 38 mm Gewicht 9 g Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 2 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES Formfaktor M. 2 2280 Schnittstelle PCI Express 4. 0 x4 (NVMe) Puffergröße 2 GB Merkmale TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, NVM Express (NVMe) 1. 3c, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Samsung Elpis Controller, S. M. A. R. T. Breite 22. 15 mm Tiefe 80. 15 mm Höhe 2. 38 mm Gewicht 9 g Leistung SSD-Leistung 1200 TB Interner Datendurchsatz 6400 MBps (lesen)/ 2700 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 22000 IOPS 4 KB Random Write 60000 IOPS Maximal 4 KB Random Write 1000000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 1000000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1, 500, 000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen PCI Express 4. 0 x4 (NVMe) - M. 2 Card Kompatibles Schaltfeld M. 2 2280 Stromversorgung Energieverbrauch 6. 1 Watt (Durchschnitt) ¦ 7. 2 Watt (Maximum) ¦ 35 mW (Leerlauf) Software Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Kennzeichnung IEEE 1667 Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Schocktoleranz (in Betrieb) 1500 g @ 0, 5 ms - Sofort verfügbar: true - - - bei Office Partner - gefunden von shopping24



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Festplatten Lifestyle Technik Computer PC-Hardware - EAN: 08806090545894 - Allgemein Hersteller Samsung Herst. Art. Nr. MZ-77E4T0B/EU EAN 8806090545894 Hauptmerkmale Produktbeschreibung Samsung 870 EVO MZ-77E4T0B - Solid-State-Disk - 4 TB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor 2. 5' (6. 4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Puffergrösse 4 GB Merkmale TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S. M. A. R. T. , 256-Bit-AES, IEEE 1667 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69. 85 mm x 100 mm x 6. 8 mm Gewicht 45 g Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor 2. 5' (6. 4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Puffergröße 4 GB Merkmale TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S. M. A. R. T. , 256-Bit-AES, IEEE 1667 Breite 69. 85 mm Tiefe 100 mm Höhe 6. 8 mm Gewicht 45 g Leistung SSD-Leistung 2400 TB übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern) Interner Datendurchsatz 560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 13000 IOPS 4 KB Random Write 36000 IOPS Maximal 4 KB Random Write 88000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 98000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1, 500, 000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SATA 6 Gb/s Kompatibles Schaltfeld 2. 5' (6. 4 cm) Stromversorgung Energieverbrauch 5 Watt (Durchschnitt) ¦ 5 Watt (Maximum) Software Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Kennzeichnung WWN, IEEE 1667 Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Schocktoleranz (in Betrieb) 1500 g @ 0, 5 ms Sinushalbwellen - Sofort verfügbar: true - Speicherkapazität: 4-4,9 TB - - - bei Office Partner - gefunden von shopping24



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Festplatten Lifestyle Technik Computer PC-Hardware - EAN: 08806090396014 - Allgemein Hersteller Samsung Herst. Art. Nr. MZ-77Q8T0BW EAN 8806090396014 Hauptmerkmale Produktbeschreibung Samsung 870 QVO MZ-77Q8T0BW - Solid-State-Disk - 8 TB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Schlafmodus, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller Kapazität 8 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp Quad-Level Cell (QLC) Formfaktor 2. 5' (6. 4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Puffergrösse 8 GB Merkmale TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Schlafmodus, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S. M. A. R. T. , 256-Bit-AES, IEEE 1667 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69. 85 mm x 100 mm x 6. 8 mm Gewicht 57 g Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 8 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp Quad-Level Cell (QLC) Formfaktor 2. 5' (6. 4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Puffergröße 8 GB Merkmale TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Schlafmodus, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S. M. A. R. T. , 256-Bit-AES, IEEE 1667 Breite 69. 85 mm Tiefe 100 mm Höhe 6. 8 mm Gewicht 57 g Leistung SSD-Leistung 2. 88 PB Interner Datendurchsatz 560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 11000 IOPS 4 KB Random Write 35000 IOPS Maximal 4 KB Random Write 88000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 98000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1, 500, 000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SATA 6 Gb/s - 7-poliges Serial ATA Kompatibles Schaltfeld 2. 5' (6. 4 cm) Stromversorgung Energieverbrauch 3. 3 Watt (Durchschnitt) ¦ 5. 5 Watt (Maximum) ¦ 0. 045 Watt (Leerlauf) Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Schocktoleranz (in Betrieb) 0, 5 ms Sinushalbwellen Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g @ 0, 5 ms - Lieferzeit: 1 Tag - Sofort verfügbar: true - Speicherkapazität: 5-9,9 TB - - - bei Office Partner - gefunden von shopping24



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